大芯超导有限公司元器件*分销商

BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射*子，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。主要规格有BGH50N65HF1（IKW50N65RH5国产替代，AIKW50N65RF5国产替代），BGH50N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路，单相光伏逆变器Heric电路 (IKW50N65SS5国产替代),BGH50N65ZF1（IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5国产替代），BGH75N65HF1（IKW75N65RH5国产替代），BGH75N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路，单相光伏逆变器Heric电路 (IKW75N65SS5国产替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5国产替代），BGH40N120HF典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路，T型三电平横管（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7国产替代）,BGH75N120HS 典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路，T型三电平横管 (IKQ75N120CH3国产替代，IKQ75N120CS6国产替代，)特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：户用光伏逆变器650V混合SiC IGBT单管，户用光伏逆变器，组串光伏逆变器，户用储能逆变器，双向变流器，双向逆变器，车载充电机（OBC）、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS) ，基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等领域。

*逆变器用 HERIC 电路和相关工艺可用于单相逆变器，该拓扑是在H桥的桥臂两端加上两个反向的开关管进行续流，以达到续流阶段电网与光伏电池隔离的目的,尤其是在低功率范围内（如屋顶光伏系统），其基于传统H4电路上在交流侧加入旁路功能的第五、六开关。其有效隔离了零电平时候交流滤波电感L与寄生电容C之间的无功交换，提升系统效率，且降低寄生电容上的电压高频分量，消除漏电流,通过利用BASiC基本半导体SiC碳化硅功率半导体的开关损耗低特性，单相HERIC电路中，用单一器件BASiC基本半导体650V混合SiC-IGBT单管可以有效降低高频管的损耗，显著降低器件的工作结温，提升系统效率,BASiC基本半导体650V混合SiC-IGBT单管继承了经典的TO247封装，客户可以在不变更PCB和电路情况下，对老的产品进行直接替换，从而在zui短时间内达到系统效率的提升和增加开关频率的目的。同时，由于器件带来系统损耗减少的优势，可以降低散热设计要求和成本；开关频率提升可以有效降低并网电感的尺寸和大小，减少电流谐波对电网的污染。HERIC电路设计的拓扑结构可以实现高达99％超高转化效率，同时将EMI保持在较低的水平。除了具有更高的能量输出的优点外，这种拓扑结构还降低了部件的热应力，因而散热器可以设计得更小，使用寿命却更长。行业普遍认为到目前为止，这是户用光伏逆变器储能变流器PCS设备中较好的设计。